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    影響真空滅弧室電位分布和電場(chǎng)分布

    本文作者:大禹漢光 發(fā)布時(shí)間:2015-10-13

    影響真空滅弧室電位分布和電場(chǎng)分布

      網(wǎng)友提問(wèn):對于真空滅弧室,影響其電位分布和電場(chǎng)分布的因素有哪些?

      大禹答復:您好,影響真空滅弧室電位和電場(chǎng)分布的原因有很多,就比如主屏蔽罩的結構尺寸及多個(gè)屏蔽罩。有研究表明,真空滅弧室動(dòng)靜觸頭之間、觸頭和屏蔽罩之間的電位變化比較顯著(zhù),滅弧室內部電場(chǎng)分布不均勻。隨著(zhù)觸頭間隙距離,觸頭半徑及倒角部分曲率半徑的增大,觸頭表面有效面積將增大??梢哉f(shuō),在真空滅弧室內安裝多個(gè)屏蔽罩,可以改善內部電場(chǎng)分布。

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