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    真空滅弧室如何提高內部絕緣水平

    本文作者:大禹漢光 發(fā)布時(shí)間:2015-10-15

    真空滅弧室如何提高內部絕緣水平

      目前,真空滅弧室有小型化的趨勢,而這也突出了電場(chǎng)的分布的重要性,真空滅弧室內部電氣間隙縮小后仍需承受標準所規定的絕緣電壓,這就需要對內部電場(chǎng)進(jìn)行優(yōu)化分析與測算,借助計算機分析軟件對開(kāi)滅弧室部結構進(jìn)行了多次電場(chǎng)計算,對內部各部件結構進(jìn)行多次修改設計,優(yōu)化后的內部電場(chǎng)分布均勻,降低了瓷殼內表面沿面的電場(chǎng)強度及三相界面的電場(chǎng)強度,消除了主屏蔽罩兩端口處的尖峰電場(chǎng),改善了屏蔽罩的均壓作用。

      另外還對主屏蔽罩與導電桿之間的間隙進(jìn)行了改進(jìn)。改進(jìn)后觸頭間隙中的電場(chǎng)強度有了一定程度的降低,進(jìn)一步緩解了主間隙間的電場(chǎng)應力,提高了介質(zhì)恢復速度。

      通過(guò)軟件的分析不斷的對內部各零部件尺寸、形狀、位置等進(jìn)行調整,最終的結果是使滅弧室內部各處電場(chǎng)強度盡量分布均勻,消除各處可能出現的尖端電場(chǎng),以有效地降低瓷殼內表面沿面的電場(chǎng)強度及三相界面的電場(chǎng)強度,從而提高產(chǎn)品的絕緣強度及弧后介質(zhì)恢復速度。優(yōu)化設計后盡可能使得真空滅弧室內中間屏蔽罩上的電位為50%,動(dòng)靜端兩端對稱(chēng)分布,從圖中可見(jiàn)電場(chǎng)分布基本均勻,三相界面處的得到了有效的屏蔽,無(wú)電場(chǎng)集中現象,這就有效的保證了體積減小后對電壓的耐受能力。

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